微机原理 f4-存储器基本知识及存储器系统

微机原理

第四章

随机读写存储器

静态RAM(SRAM)

静态RAM的工作原理
MOS型静态RAM的基本存储单元，可由六个MOS场效应晶体管构成，图中为1个静态RAM。
多个静态ram单元组成的存储器叫做静态RAM存储器

动态RAM(DRAM)(*)

特点：存储的信息有一定的时间性，在短时内数据是有效的，超过一定时间，数据就会消失，所以要周期性的对所在数据重写(刷新)，这种存储器为动态存储器。（SRAM无需刷新）

静态RAM和动态RAM的区别

半导体只读存储器

掩膜式只读存储器ROM：只能读出而不能写入新内容，在出厂时已经制作好的。

可编程的只读存储器PROM：制作时不写入信息，使用时可写，写入是一次性的，又称现场可编程序只读存储器。

可编程、可擦除的只读存储器EPROM

紫外线擦除的EPROM：可以抹去数据，并置为全‘’1‘’状态。
电可擦除只读存储器EEPROM或E^2^PROM：使用时让电流只通过指定的内存单元，把一个字(或字节)擦去并改写，其余保持不变。

EPROM芯片举例—Intel 2716

2K = 2^11^，有11根地址线，8根数据线。

SRAM—6264

1. A0-A12共13位地址译码电路，所以2^13^=8K
2. I/O0-I/O7共8位数据传送线
3. 所以该芯片是8K*8位的。（或者8KB）

WE非为0时，表示允许向它写入；OE非为0时，表示允许从这里读取数据。
CE1非为0，CE2为1时，芯片才被选中。

DRAM—2164

Intel 2164：

说明：2164的容量为64K，也就是2的^16^，片内寻址需要64k即16根地址线，为了减少引脚分别分成了行和列，对外地址线有8根。

刷新：送入7位行地址，同时选中4个存储矩阵的同一行，即对4x128=512个存储单元进行刷新。（具体看p2）
*存储矩阵有4个每个都是128x128，选中它们的同一行，即128x1x4*

DRAM-2164利用多路开关，由行地址选通信号RAS将先送入的8位行地址送到片内行地址锁存器，再由列地址选通信号CAS将后送入的8位列地址送到片内列地址锁存器。

存储器组成存储器系统

1. 位对齐

1. 字对齐

1. ​ 位、字对齐

2. 例

例题

2的16次方是4位十六进制数。

• mc-principle